存储器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution IncMicrochip Technology
包装
托盘管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROMSRAM
技术
EEPROMSDRAMSRAM - 异步
存储容量
64Kb1Mb4Mb512Mb
存储器组织
8K x 8128K x 8512K x 832M x 16
写周期时间 - 字,页
10ns10ms-
访问时间
5.4 ns10 ns150 ns200 ns
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V3V ~ 3.6V4.5V ~ 5.5V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-40°C ~ 85°C(TC)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
28-DIP(0.600",15.24mm)32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
28-PDIP32-TSOP36-SOJ54-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
28-PDIP
AT28C64B-15PU
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Microchip Technology
5,004
现货
1 : ¥46.55000
管件
-
管件
在售
已验证
非易失
EEPROM
EEPROM
64Kb
8K x 8
并联
-
10ms
150 ns
4.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C(TC)
通孔
28-DIP(0.600",15.24mm)
28-PDIP
5,896
现货
1 : ¥106.24000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
512Mb
32M x 16
并联
143 MHz
-
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
36-SOJ Pkg
CY7C1049GN30-10VXI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Infineon Technologies
1,051
现货
1 : ¥59.85000
管件
-
管件
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb
512K x 8
并联
-
10ns
10 ns
2.2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
36-SOJ
32-TSOP
AT28LV010-20TU-319
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
156 : ¥470.83949
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
EEPROM
EEPROM
1Mb
128K x 8
并联
-
10ms
200 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TC)
表面贴装型
32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
32-TSOP
显示
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。