存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
系列
-JL-J
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR2
存储容量
64Mbit1Gb
存储器组织
8M x 8,4M x 16128M x 8
写周期时间 - 字,页
15ns70ns
访问时间
400 ps70 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)0°C ~ 85°C(TC)
封装/外壳
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)60-TFBGA
供应商器件封装
48-TSOP60-FBGA(8x10)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
48-TSOP l
S29JL064J70TFI000
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
Infineon Technologies
3,742
现货
1 : ¥61.74000
托盘
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
64Mbit
8M x 8,4M x 16
并联
-
70ns
70 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E:M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
Micron Technology Inc.
1,569
现货
1 : ¥36.45000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
1Gb
128M x 8
并联
400 MHz
15ns
400 ps
1.7V ~ 1.9V
0°C ~ 85°C(TC)
表面贴装型
60-TFBGA
60-FBGA(8x10)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。