存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
系列
-FL-S
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
存储器类型
非易失非易失性,易失性
存储器格式
FLASH,RAM闪存
技术
FLASH - NOR闪存 - NAND,移动 LPDRAM
存储容量
512Mb4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)
存储器组织
64M x 8256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz208 MHz
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V2.7V ~ 3.6V
封装/外壳
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)137-VFBGA
供应商器件封装
16-SOIC137-VFBGA(13x10.5)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
16-SOIC
S25FL512SAGMFIR11
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Infineon Technologies
1,628
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
2,472
现货
1 : ¥123.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥86.60836
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
未验证
非易失性,易失性
FLASH,RAM
闪存 - NAND,移动 LPDRAM
4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)
256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)
并联
208 MHz
-
1.7V ~ 1.95V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
137-VFBGA
137-VFBGA(13x10.5)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。