存储器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.Rohm Semiconductor
系列
-GL-STwinDie™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSDRAM - DDR3L
存储容量
64Kb1Gb8Gb
存储器组织
8K x 864M x 16128M x 8512M x 16
存储器接口
SPISPI - 四 I/O并联
时钟频率
20 MHz166 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns60ns5ms8ms，2.8ms
访问时间
20 ns110 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V1.6V ~ 5.5V1.65V ~ 3.6V1.7V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）64-LBGA96-TFBGA
供应商器件封装
8-SOP-J16-SOP264-FBGA（13x11）96-FBGA（8x14）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
64-BGA
S29GL01GS11FHIV23
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Infineon Technologies
3,466
现货
1 : ¥111.57000
剪切带（CT）
1,600 : ¥78.17741
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
64M x 16
并联
-
60ns
110 ns
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
64-LBGA
64-FBGA（13x11）
16-SO
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
IC FLASH 1GBIT SPI 166MHZ 16SOP2
Micron Technology Inc.
861
现货
1 : ¥130.04000
管件
-
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
128M x 8
SPI - 四 I/O
166 MHz
8ms，2.8ms
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOP2
2,484
现货
1 : ¥156.40000
散装
散装
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
8Gb
512M x 16
并联
933 MHz
15ns
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（8x14）
8-SOIC
BR25G640FJ-3GE2
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOPJ
Rohm Semiconductor
4,522
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.49527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
64Kb
8K x 8
SPI
20 MHz
5ms
-
1.6V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP-J
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。