存储器

结果 : 2
制造商
Insignis Technology CorporationMicron Technology Inc.
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NAND(MLC)SDRAM - DDR3L
存储容量
2Gb64Gb
存储器组织
128M x 168G x 8
存储器接口
eMMC并联
时钟频率
200 MHz800 MHz
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V3.3V
工作温度
-40°C ~ 85°C-40°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
96-TFBGA100-LBGA
供应商器件封装
96-FBGA(8x14)100-BGA(14x18)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,379
现货
1 : ¥46.55000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
-
13.75 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C(TC)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA(8x14)
1,603
现货
1 : ¥126.18000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND(MLC)
64Gb
8G x 8
eMMC
200 MHz
-
-
3.3V
-40°C ~ 85°C
-
-
表面贴装型
100-LBGA
100-BGA(14x18)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。