存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
系列
-GL-S
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR3L
存储容量
256Mb512Mb4Gb
存储器组织
32M x 1632M x 8256M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
60ns8ms，2.8ms-
访问时间
20 ns100 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）0°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
24-TBGA56-VFBGA96-TFBGA
供应商器件封装
24-T-PBGA（6x8）56-FBGA（9x7）96-FBGA（8x14）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2,251
现货
1 : ¥48.44000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
24-TBGA
24-T-PBGA（6x8）
19,236
现货
1 : ¥56.07000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
256M x 16
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（8x14）
56 FBGA
S29GL512S10GHI020
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA
Infineon Technologies
2,532
现货
1 : ¥80.53000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
32M x 16
并联
-
60ns
100 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
56-VFBGA
56-FBGA（9x7）
显示
/ 3

存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。