288Mb 存储器

显示

/ 202

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	DigiKey 可编程	存储器类型	存储器格式	技术	存储容量	存储器组织	存储器接口	时钟频率	写周期时间 - 字，页	访问时间	电压 - 供电	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

GS82582D20GE-550I IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA GSI Technology Inc.	78 现货	1 : ¥3,818.00000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	SRAM	SRAM - 四端口，同步，QDR II+	288Mb	16M x 18	并联	550 MHz	-	-	1.7V ~ 1.9V	-40°C ~ 100°C（TJ）	表面贴装型	165-LBGA	165-FPBGA（15x17）
GS82583ED18GK-625I IC SRAM 288MBIT PAR 260BGA GSI Technology Inc.	14 现货	1 : ¥4,771.68000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	SRAM	SRAM - 四端口，同步	288Mb	16M x 18	并联	675 MHz	-	-	1.25V ~ 1.35V	-40°C ~ 100°C（TJ）	表面贴装型	260-BGA	260-BGA（22x14）
GS82582QT20GE-450I IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA GSI Technology Inc.	10 现货	1 : ¥3,282.59000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	SRAM	SRAM - 四端口，同步	288Mb	16M x 18	并联	450 MHz	-	-	1.7V ~ 1.9V	-40°C ~ 100°C（TJ）	表面贴装型	165-LBGA	165-FPBGA（15x17）
MT49H16M18SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	16M x 18	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H8M36SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,120 : ¥160.76387 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H16M18BM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	16M x 18	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H32M9BM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	32M x 9	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H32M9BM-33:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	32M x 9	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H8M36BM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H8M36BM-33:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H32M9FM-33:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	32M x 9	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H8M36FM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H8M36FM-33:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H32M9SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥156.08137 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	32M x 9	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H8M36BM-25E:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥179.82395 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	15 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H16M18CBM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥194.68886 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	16M x 18	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H16M18BM-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥203.56645 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	16M x 18	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	-40°C ~ 85°C（TA）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H8M36BM-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥203.56645 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	-40°C ~ 85°C（TA）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥203.56645 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	-40°C ~ 85°C（TA）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥229.45000 剪切带（CT） 1,000 : ¥160.76381 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	16M x 18	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H8M36SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥229.45000 剪切带（CT） 1,000 : ¥160.76381 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	288Mb	8M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
IS49NLS93200A-25WBL RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Sep ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 现货	在售	-	散装	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 2	288Mb	-	HSTL	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-TWBGA（11x18.5）
IS49NLC18160A-25WBL RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Co ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 现货	在售	-	散装	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 2	288Mb	16M x 18	HSTL	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-TWBGA（11x18.5）
IS49NLC93200A-25WBL RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Com ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 现货	在售	-	散装	在售	-	易失	DRAM	RLDRAM 2	288Mb	32M x 9	HSTL	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-TWBGA（11x18.5）
IS49NLS18160A-25WBL RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Se ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 现货	在售	-	散装	在售	-	易失	DRAM	RLDRAM 2	288Mb	16M x 18	HSTL	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-TWBGA（11x18.5）

显示

/ 202

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

288Mb 存储器

288Mb 存储器

信息

帮助

联系我们

关注我们