216-WFBGA 存储器

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	DigiKey 可编程	存储器类型	存储器格式	技术	存储容量	存储器组织	存储器接口	时钟频率	写周期时间 - 字，页	电压 - 供电	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA Micron Technology Inc.	1,660 现货	1 : ¥243.92000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR3	16Gb	256M x 64	-	933 MHz	-	1.2V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB4064B4PB-1D-F-R TR IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	4Gb	64M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-WFBGA（12x12）
EDB8164B4PR-1D-F-R TR IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥93.86564 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB8164B4PT-1D-F-R TR IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥93.86564 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥103.32662 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-40°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L256M32D2LK-25 WT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥116.11251 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	256M x 32	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR3	16Gb	256M x 64	-	933 MHz	-	1.2V	-	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（15x15）
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR3	16Gb	256M x 64	-	933 MHz	-	1.2V	-	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（15x15）
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1,000 : ¥193.20546 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR3	16Gb	256M x 64	-	933 MHz	-	1.2V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L64M64D2KH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	散装	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	4Gb	64M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-25°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L64M64D2KH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	散装	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	4Gb	64M x 64	并联	333 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-25°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-18 WT:A IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-25 WT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-25°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	256M x 32	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L128M64D2LL-25 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-25°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
MT42L256M32D2LK-18 WT:A IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	256M x 32	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.3V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB4064B3PB-8D-F-D IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	4Gb	64M x 64	并联	400 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-WFBGA（12x12）
EDB4064B4PB-1D-F-D IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	散装	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	4Gb	64M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-WFBGA（12x12）
EDB8164B4PR-1D-F-D IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB8164B4PT-1D-F-D IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	散装	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-30°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB8164B4PT-1DAT-F-D IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）
EDB8164B4PT-1DIT-F-D IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	停产	-	托盘	停产	未验证	易失	DRAM	SDRAM - 移动 LPDDR2	8Gb	128M x 64	并联	533 MHz	-	1.14V ~ 1.95V	-40°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	216-WFBGA	216-FBGA（12x12）

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存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

216-WFBGA 存储器

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