双极晶体管阵列

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
晶体管类型
1 NPN，1 PNP8 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200mA500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 1mA，10mA1.6V @ 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA（ICBO）-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 10mA，1V1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值
700mW2.25W
频率 - 跃迁
200MHz-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-20°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
18-DIP（0.300"，7.62mm）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
18-DIPSuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
18-DIP
ULN2804A
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
STMicroelectronics
8,022
现货
1 : ¥22.25000
管件
-
管件
在售
8 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
2.25W
-
-20°C ~ 150°C（TJ）
通孔
18-DIP（0.300"，7.62mm）
18-DIP
SG6858TZ
FMB3946
TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SUPERSOT6
onsemi
5,490
现货
315,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13412
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
1 NPN，1 PNP
200mA
40V
250mV @ 1mA，10mA
50nA（ICBO）
100 @ 10mA，1V
700mW
200MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
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双极晶体管阵列

双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。