单 IGBT

结果 : 6
制造商
Bourns Inc.Infineon TechnologiesIXYSonsemi
系列
-GenX4™, XPT™TrenchStop™
IGBT 类型
PT场截止沟槽型场截止沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A100 A120 A150 A160 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A180 A200 A300 A430 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.75V @ 15V，75A1.8V @ 15V，50A2V @ 15V，80A2.2V @ 15V，50A2.5V @ 15V，60A
功率 - 最大值
268 W375 W395 W416 W600 W625 W
开关能量
760µJ（开），180µJ（关）1.05mJ（开），700µJ（关）1.26mJ（开），450µJ（关）2.4mJ（开），950µJ（关）3mJ（开）， 1.1mJ（关）3.77mJ（开），1.2mJ（关）
栅极电荷
94 nC120 nC123 nC128 nC164 nC189 nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/104ns23ns/120ns37ns/125ns38ns/120ns40ns/144ns
测试条件
400V，50A，10 欧姆，15V400V，60A，3 欧姆，15V400V，75A，18 欧姆，15V400V，80A，3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
32 ns37.5 ns39 ns43 ns85 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-247TO-247-3TO-247AD（IXXH）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3
FGH75T65SQD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
onsemi
134
现货
900
工厂
1 : ¥51.07000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
150 A
300 A
-
375 W
760µJ（开），180µJ（关）
标准
128 nC
-
-
43 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FGH60N60SMD
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
onsemi
662
现货
1 : ¥52.46000
管件
-
管件
在售
场截止
600 V
120 A
180 A
2.5V @ 15V，60A
600 W
1.26mJ（开），450µJ（关）
标准
189 nC
18ns/104ns
400V，60A，3 欧姆，15V
39 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXXH80N65B4
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
IXYS
2,339
现货
1 : ¥61.98000
管件
管件
在售
PT
650 V
160 A
430 A
2V @ 15V，80A
625 W
3.77mJ（开），1.2mJ（关）
标准
120 nC
38ns/120ns
400V，80A，3 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247AD（IXXH）
AUIRFP4310Z BACK
IKW75N65ES5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Infineon Technologies
14,370
现货
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
沟道
650 V
80 A
300 A
1.75V @ 15V，75A
395 W
2.4mJ（开），950µJ（关）
标准
164 nC
40ns/144ns
400V，75A，18 欧姆，15V
85 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
TO-247-3
FGHL50T65MQD
IGBT 650V 50A TO247
onsemi
340
现货
1 : ¥38.67000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
200 A
1.8V @ 15V，50A
268 W
1.05mJ（开），700µJ（关）
标准
94 nC
23ns/120ns
400V，50A，10 欧姆，15V
32 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247
BIDW50N65T
IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Bourns Inc.
2,883
现货
1 : ¥43.92000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
100 A
150 A
2.2V @ 15V，50A
416 W
3mJ（开）， 1.1mJ（关）
标准
123 nC
37ns/125ns
400V，50A，10 欧姆，15V
37.5 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
显示
/ 6

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。