单 FET,MOSFET

结果 : 48
系列
-CoolMOS™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 80A,10V3.1 毫欧 @ 80A,10V3.2 毫欧 @ 80A,10V3.3 毫欧 @ 80A,10V3.4 毫欧 @ 80A,10V3.7 毫欧 @ 80A,10V3.8 毫欧 @ 80A,10V4 毫欧 @ 80A,10V4.5 毫欧 @ 69A,10V4.5 毫欧 @ 80A,10V4.7 毫欧 @ 80A,10V4.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 125µA2V @ 150µA2V @ 180µA2V @ 250µA2V @ 93µA2.2V @ 115µA2.2V @ 35µA2.2V @ 40µA2.2V @ 45µA2.2V @ 60µA2.2V @ 80µA2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47 nC @ 10 V56 nC @ 10 V60 nC @ 10 V66 nC @ 10 V70 nC @ 10 V75 nC @ 10 V80 nC @ 10 V81 nC @ 10 V96 nC @ 10 V105 nC @ 10 V110 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2075 pF @ 25 V2360 pF @ 25 V2620 pF @ 25 V2860 pF @ 25 V3160 pF @ 25 V3250 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V3800 pF @ 25 V3900 pF @ 25 V4400 pF @ 25 V4500 pF @ 25 V4690 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
71W(Tc)79W(Tc)94W(Tc)100W(Tc)107W(Tc)115W(Tc)135W(Tc)136W(Tc)150W(Tc)158W(Tc)165W(Tc)188W(Tc)190W(Tc)210W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
48结果

显示
/ 48
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Infineon Technologies
451
现货
1 : ¥38.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.04810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
7.1 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Infineon Technologies
906
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
1,000 : ¥9.66196
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 53µA
66 nC @ 10 V
±20V
5260 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S4L07ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Infineon Technologies
3,490
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.74121
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 80A,10V
2.2V @ 40µA
75 nC @ 10 V
±16V
5680 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Infineon Technologies
761
现货
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.82011
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
-
4V @ 40µA
56 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Infineon Technologies
731
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.94617
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
5.7 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 60µA
81 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2L11ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
911
现货
1 : ¥18.06000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.56265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
4.5V,10V
10.7 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 93µA
80 nC @ 10 V
±20V
2075 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
681
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥9.04671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 80A,10V
2.2V @ 35µA
60 nC @ 10 V
+20V,-16V
4690 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S209ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
787
现货
1 : ¥21.59000
剪切带(CT)
1,000 : ¥10.25052
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
10V
8.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 125µA
80 nC @ 10 V
±20V
2360 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
875
现货
1 : ¥28.08000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.53287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
10V
5.2 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 230µA
155 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
702
现货
1 : ¥31.85000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.46179
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
148 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S204ATMA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
6,413
现货
1 : ¥33.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.14222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
13,200
市场
495 : ¥4.43659
散装
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 65µA
60 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
3,000
市场
286 : ¥7.63675
散装
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 250µA
213 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N08S406ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
2,000
市场
281 : ¥7.78221
散装
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
80A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 90µA
70 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
24,755
市场
229 : ¥9.52777
散装
-
卷带(TR)
散装
停产
-
-
-
80A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1,000 : ¥11.56230
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 80A,10V
2.2V @ 90µA
140 nC @ 10 V
±16V
9750 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
2,406
市场
181 : ¥12.07337
散装
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
19,552
市场
273 : ¥8.00040
散装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 80A,10V
2.2V @ 45µA
75 nC @ 10 V
±16V
5100 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Infineon Technologies
442
现货
1 : ¥38.67000
剪切带(CT)
7,000 : ¥18.04941
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
4.5V,10V
6.8 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 250µA
233 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 68A,10V
4V @ 180µA
110 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
10V
7.7 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
96 nC @ 10 V
±20V
2860 pF @ 25 V
-
215W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.40742
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 69A,10V
2V @ 180µA
150 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥22.08000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.42133
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 60A,10V
2V @ 150µA
130 nC @ 10 V
±20V
3160 pF @ 25 V
-
210W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥7.16837
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
148 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥8.10405
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。