单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SIHA22N60E-GE3 N-CHANNEL 600V Vishay Siliconix	905 现货	1 : ¥30.79000 管件	EL	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	8A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 100 V	-	35W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220 整包	TO-220-3 整包
SIHB22N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Vishay Siliconix	77 现货	1 : ¥32.51000 管件	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	82 nC @ 10 V	±30V	1757 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SIHG22N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC Vishay Siliconix	49 现货	1 : ¥35.14000 管件	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	82 nC @ 10 V	±30V	1757 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHG73N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC Vishay Siliconix	40 现货	1 : ¥99.91000 管件	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	69A（Tc）	10V	42 毫欧 @ 36.5A，10V	4V @ 250µA	342 nC @ 10 V	±30V	6709 pF @ 100 V	-	520W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHA22N60EL-E3 MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220 Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1,000 : ¥17.03891 管件	EL	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	197 毫欧 @ 11A，10V	5V @ 250µA	74 nC @ 10 V	±30V	1690 pF @ 100 V	-	35W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220 整包	TO-220-3 整包
SIHB30N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 28A TO263 Vishay Siliconix	8 现货	1 : ¥49.34000 剪切带（CT） 1,000 : ¥2.14913 卷带（TR）	EL	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	28A（Tc）	10V	120 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±30V	2565 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SIHG47N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Vishay Siliconix	14 现货	1 : ¥76.92000 管件	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	47A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 23.5A，10V	4V @ 250µA	222 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 100 V	-	379W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHA30N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 28A TO220 Vishay Siliconix	0 现货	停产	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	28A（Tc）	10V	120 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±30V	2565 pF @ 100 V	-	39W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220 整包	TO-220-3 整包
SIHP30N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	28A（Tc）	10V	120 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±30V	2565 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
SIHA22N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Vishay Siliconix	0 现货	停产	EL	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	82 nC @ 10 V	±30V	1757 pF @ 100 V	-	35W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220 整包	TO-220-3 整包
SIHP22N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	EL	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	82 nC @ 10 V	±30V	1757 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3