单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Panasonic Electronic ComponentsRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
8 V12 V20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）1.2A（Ta）2A（Ta）2.4A（Ta）2.6A（Ta）2.9A（Ta）3.2A（Ta）3.3A（Ta）3.4A（Ta）4.1A（Ta）4.2A（Ta）4.6A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.2V，4.5V1.5V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.9 毫欧 @ 1A，4.5V45 毫欧 @ 1A，4.5V47 毫欧 @ 1A，4.5V48 毫欧 @ 1A，4.5V51 毫欧 @ 2A，4.5V72 毫欧 @ 3.2A，4.5V80 毫欧 @ 500mA，4.5V85 毫欧 @ 2.9A，4.5V100 毫欧 @ 2A，4.5V102 毫欧 @ 500mA，4.5V120 毫欧 @ 2.4A，10V447 毫欧 @ 1.2A，4.5V5.3 欧姆 @ 230mA，10V10欧姆 @ 100mA，0.9V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
650mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 2mA1.05V @ 250µA1.2V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.9 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V10.7 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-20V-6V-5V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
34 pF @ 30 V116 pF @ 10 V218 pF @ 10 V251 pF @ 6 V309 pF @ 15 V350 pF @ 6 V425 pF @ 10 V514 pF @ 5 V608 pF @ 10 V634 pF @ 6 V699 pF @ 4 V814 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
317mW（Ta），8.33W（Tc）360mW（Ta），5.68W（Tc）370mW（Ta）400mW（Ta），8.3W（Tc）480mW（Ta）630mW（Ta）650mW（Ta）820mW（Ta）860mW（Ta）1W（Ta）1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 85°C（TA）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DFN1010-3WDFN1010D-3U-WLB1010-4ULGA004-W-1010-RA01X1-DSN1010-4（C 型）X2-DFN1010-3X2-DSN1010-3X2-DSN1212-4
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN4-SMD，无引线4-UFBGA，WLBGA4-XFBGA4-XFLGA，CSP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
搜索条目
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB75UPEZ
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
36,643
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.70809
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Ta）
1.2V，4.5V
85 毫欧 @ 2.9A，4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
608 pF @ 10 V
-
317mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
70,201
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.64424
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.2A（Ta）
1.2V，4.5V
72 毫欧 @ 3.2A，4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 6 V
-
317mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB120EPEZ
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
31,006
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.78353
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
309 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
X4-DSN1006-3
DMP2043UCA3-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Diodes Incorporated
9,588
现货
1,070,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.13527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
-20V
425 pF @ 10 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DSN1010-3
3-XFDFN
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
8,963
现货
336,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.95426
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
47 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB350UPEZ
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
5,000
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.74147
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.2A（Ta）
1.2V，4.5V
447 毫欧 @ 1.2A，4.5V
950mV @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
116 pF @ 10 V
-
360mW（Ta），5.68W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
DFN1010
BSS84XHZGG2CR
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Rohm Semiconductor
70
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.47421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
-
5.3 欧姆 @ 230mA，10V
2.5V @ 100µA
-
±20V
34 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010-3W
3-XFDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Diodes Incorporated
960
现货
228,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.17774
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.4A（Ta）
2.5V，4.5V
48 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DSN1010-4（C 型）
4-XFBGA
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
DMP1010UCA4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
Diodes Incorporated
0
现货
789,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.26551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
9.9 毫欧 @ 1A，4.5V
1.05V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
-6V
699 pF @ 4 V
-
630mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DSN1212-4
4-SMD，无引线
X2-DFN1010-3
DMP1200UFR4-7
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Diodes Incorporated
0
现货
54,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
100 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
5.8 nC @ 4.5 V
±8V
514 pF @ 5 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
DMP1081UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.3A（Ta）
0.9V，4.5V
10欧姆 @ 100mA，0.9V
650mV @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
-6V
350 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
DMP1096UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.5V，4.5V
102 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
3.7 nC @ 4.5 V
-5V
251 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
DMP1080UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.3A（Ta）
1.5V，4.5V
80 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
-6V
350 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
DMP2042UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
ULGA004-W-1010
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
Panasonic Electronic Components
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.5V，4.5V
51 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 2mA
10.7 nC @ 4.5 V
±8V
814 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
ULGA004-W-1010-RA01
4-XFLGA，CSP
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。