单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 25A，10V7.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V66.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3870 pF @ 50 V5026 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
167W（Tc）214W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8TO-220-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,834
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.87487
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V，10V
5.6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
66.8 nC @ 10 V
±20V
5026 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO-220-3
CSD19531KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
146
现货
1 : ¥17.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
7.7 毫欧 @ 60A，10V
3.3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。