单 FET,MOSFET
结果 : 3
制造商
系列
包装
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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5,048 现货 | 1 : ¥12.97000 剪切带(CT) 5,000 : ¥5.62385 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 80 V | 40A(Tc) | 4.5V,10V | 7 毫欧 @ 20A,10V | 2.3V @ 36µA | 5 nC @ 4.5 V | ±20V | 2340 pF @ 40 V | - | 69W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN | |||
7,622 现货 | 1 : ¥50.32000 剪切带(CT) 1,000 : ¥28.54554 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 80 V | 180A(Tc) | 6V,10V | 1.9 毫欧 @ 100A,10V | 3.5V @ 270µA | 206 nC @ 10 V | ±20V | 14200 pF @ 40 V | - | 300W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TO263-7 | TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片) | |||
1,610 现货 | 1 : ¥169.19000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 220A(Tc) | 10V | 6.2 毫欧 @ 110A,10V | 4.5V @ 4mA | 204 nC @ 10 V | ±20V | 13600 pF @ 25 V | - | 960W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-268HV(IXFT) | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA |
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