单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
HiPerFET™, Ultra X3OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
80 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)180A(Tc)220A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 100A,10V6.2 毫欧 @ 110A,10V7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 36µA3.5V @ 270µA4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 4.5 V204 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2340 pF @ 40 V13600 pF @ 25 V14200 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
69W(Tc)300W(Tc)960W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO263-7PG-TSDSON-8-FLTO-268HV(IXFT)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ070N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
5,048
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.62385
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
5 nC @ 4.5 V
±20V
2340 pF @ 40 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
7,622
现货
1 : ¥50.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.54554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
180A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 270µA
206 nC @ 10 V
±20V
14200 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-268HV
IXFT220N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
Littelfuse Inc.
1,610
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
6.2 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。