单 FET，MOSFET

结果 : 2
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47A（Tc）74A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 38A，10V22 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 5 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），110W（Tc）200W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
12,920
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
47A（Tc）
4V，10V
22 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
43,221
现货
1 : ¥18.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。