单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BSL606SNH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6 Infineon Technologies	10,924 现货	1 : ¥5.17000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.73064 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	4.5A（Ta）	4.5V，10V	60 毫欧 @ 4.5A，10V	2.3V @ 15µA	5.6 nC @ 5 V	±20V	657 pF @ 25 V	-	2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PG-TSOP6-6	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
RH6P040BHTB1 NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE Rohm Semiconductor	5,435 现货	1 : ¥14.53000 剪切带（CT） 3,000 : ¥6.55082 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	40A（Tc）	6V，10V	15.6 毫欧 @ 40A， 10V	4V @ 1mA	16.7 nC @ 10 V	±20V	1080 pF @ 50 V	-	59W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-HSMT（3.2x3）	8-PowerVDFN