单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tj）9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 4.2A，10V240 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA3V @ 250µA
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1050 pF @ 15 V1239 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.5W42W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3LTO-252-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
66,780
现货
442,500
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.01687
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Tc）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MMBTA28L-TP
SL3401A-TP
MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT23-3L
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61288
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.4A（Tj）
2.5V，10V
60 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
1050 pF @ 15 V
-
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。