单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta），22A（Tc）53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 15A，10V22 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V17.2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 15 V2603 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），19W（Tc）95W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020MD-6LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y15-60E,115
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,902
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.79551
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
53A（Tc）
5V
13 毫欧 @ 15A，10V
2.1V @ 1mA
17.2 nC @ 5 V
±10V
2603 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D22-30EX
MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Nexperia USA Inc.
4,519
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.2A（Ta），22A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 7.2A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 15 V
-
2W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。