单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-CoolSiC™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）13A（Tc）58.4A（Ta），240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.67 毫欧 @ 50A，10V286 毫欧 @ 4A，18V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA4V @ 290µA5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 18 V148 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V289 pF @ 800 V10000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）4.3W（Ta），180.7W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOFPG-TO247-3-41TO-236AB
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
820,867
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Infineon Technologies
1,255
现货
1 : ¥54.59000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
13A（Tc）
15V，18V
286 毫欧 @ 4A，18V
5.7V @ 1.6mA
8.5 nC @ 18 V
+23V，-7V
289 pF @ 800 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
8-HPSOF Top View
FDBL9401-F085T6
MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF
onsemi
5,203
现货
1 : ¥68.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥36.37472
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
58.4A（Ta），240A（Tc）
-
0.67 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 290µA
148 nC @ 10 V
+20V，-16V
10000 pF @ 25 V
-
4.3W（Ta），180.7W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。