单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Panjit International Inc.STMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Ta)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
54 毫欧 @ 3.6A,10V340 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17.8 nC @ 10 V19 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 400 V994 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)92W(Tc)
供应商器件封装
SOT-23TO-252(DPAK)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,755
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51982
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.6A(Ta)
2.5V,10V
54 毫欧 @ 3.6A,10V
1.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±12V
994 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DPAK
STD80N340K6
N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
2,533
现货
1 : ¥28.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.90473
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
12A(Tc)
10V
340 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 100µA
17.8 nC @ 10 V
±30V
950 pF @ 400 V
-
92W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。