单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25.8 毫欧 @ 4A，4.5V50 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24.8 nC @ 4.5 V36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±20V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7846DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,015
现货
1 : ¥23.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.47622
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4A（Ta）
10V
50 毫欧 @ 5A，10V
4.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
1,686
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.4A（Ta）
1.5V，4.5V
25.8 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。