单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ CFD7DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A(Ta)10A(Tc)24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V105 毫欧 @ 7.8A,10V160 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10µA4V @ 250µA4.5V @ 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.9 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
270 pF @ 24 V340 pF @ 48 V1503 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)35W(Tc)140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKMicro3™/SOT-23PG-HSOF-8-2
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
82,158
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83410
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,998
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.26860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TOLLLEADLESS
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Infineon Technologies
1,730
现货
1 : ¥36.45000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.73285
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
24A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 7.8A,10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。