单 FET，MOSFET

结果 : 2
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A（Tc）17A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 9A，10V300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
575 pF @ 25 V920 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
70W（Tc）82W（Tc）
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,148
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF630NPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Infineon Technologies
7,777
现货
1 : ¥9.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.3A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
575 pF @ 25 V
-
82W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。