单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologyToshiba Semiconductor and Storage
系列
-π-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
135mA（Tj）650mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V35 欧姆 @ 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA-
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 12 V120 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SOT-23FTO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN3135N8-G
MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Microchip Technology
9,660
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.00770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
135mA（Tj）
0V
35 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
44,067
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81839
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
650mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
1.5 nC @ 5 V
±12V
60 pF @ 12 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。