单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V59 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）2.4A（Ta）2.6A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 4.2A，10V80 毫欧 @ 4.2A，10V110 毫欧 @ 2.6A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 100µA2.3V @ 1mA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 4.5 V12.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V155 pF @ 35 V587 pF @ 20 V590 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）652mW（Ta），7.5W（Tc）720mW（Ta）1.69W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPSOT-223（TO-261）SOT-23-3SST3
封装/外壳
SC-74，SOT-457TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBA120CS-AUR1A1XXX
RK7002BMHZGT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
28,816
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40ENAX
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
33,201
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.19861
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 4.2A，10V
2.7V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 30 V
-
652mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
SOT-23-3
DMP4065SQ-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
4,864
现货
1,329,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.45668
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NCV8440ASTT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
onsemi
10,774
现货
1,000
工厂
1 : ¥9.20000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.04944
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
59 V
2.6A（Ta）
3.5V，10V
110 毫欧 @ 2.6A，10V
1.9V @ 100µA
4.5 nC @ 4.5 V
±15V
155 pF @ 35 V
-
1.69W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。