单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A(Ta)180A(Tc)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 100A,10V2毫欧 @ 150A,10V23 毫欧 @ 5.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA3.5V @ 272µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.6 nC @ 4.5 V156 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
840 pF @ 50 V1150 pF @ 15 V11200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
510mW(Ta),6.94W(Tc)313W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1PG-TO263-7TO-236AB
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,346
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.7A(Ta)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 5.7A,4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
510mW(Ta),6.94W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
12,699
现货
1 : ¥69.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥37.10576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
2毫欧 @ 150A,10V
3.5V @ 272µA
156 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
8,396
现货
1 : ¥71.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥40.46987
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。