单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）， 22A（Tc）3.5A（Ta）13A（Ta）55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 27.5A，10V69 毫欧 @ 2A，10V111 毫欧 @ 18A， 10V200 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V44 nC @ 10 V74 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 15 V2400 pF @ 25 V2800 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）3W（Ta），125W（Tc）20W（Tc）93W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3SOT-23FTO-252
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
92,705
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
DPAK+
TK7R7P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
11,663
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.38235
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
55A（Tc）
4.5V，10V
7.7 毫欧 @ 27.5A，10V
2.5V @ 500µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 50 V
-
93W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,416
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.71580
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 6.5A，10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,476
现货
1 : ¥13.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.27250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.4A（Ta）， 22A（Tc）
10V
111 毫欧 @ 18A， 10V
4V @ 1.7mA
74 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。