单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）320mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，2.7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
741,600
现货
222,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81628
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
116,345
现货
4,180,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.48952
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。