单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
915mA（Ta）1.3A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.82 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 16 V162 pF @ 10 V808 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）500mW（Ta）1.4W（Ta）
供应商器件封装
SC-89-3SOT-23-3
封装/外壳
SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
431,363
现货
3,480,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41722
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
onsemi
136,654
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70349
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
96,139
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。