单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
C3M™E-Series
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Tc）37A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
79 毫欧 @ 13.2A，15V97.5 毫欧 @ 17.9A，15V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 15 V55 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V+19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1020 pF @ 600 V1480 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
145W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C3M0065100K
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Wolfspeed, Inc.
258
现货
1 : ¥170.84000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
32A（Tc）
15V
97.5 毫欧 @ 17.9A，15V
3.6V @ 5mA
55 nC @ 15 V
+19V，-8V
1480 pF @ 1000 V
-
145W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
526
现货
1 : ¥136.03000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
37A（Tc）
15V
79 毫欧 @ 13.2A，15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V，-4V
1020 pF @ 600 V
-
150W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。