单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）16A（Tc）109A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 50A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V260 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V30.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V1025 pF @ 15 V1935 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
3W（Ta），18W（Tc）41W（Tc）114W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,835
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.70498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
260 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W（Ta），18W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,764
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91409
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
肖特基二极管（体）
41W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-WDFN
NVTFS5C658NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
onsemi
1,292
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.42622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
109A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1935 pF @ 25 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。