单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）2.3A（Tc）3.8A（Ta）18A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 15A，10V23.5 毫欧 @ 10A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V156 毫欧 @ 1.9A，10V700 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V29 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 10 V190 pF @ 30 V563 pF @ 25 V802 pF @ 50 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）1.08W（Ta）1.09W（Ta），1.66W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SC-89-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
336,586
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
49,085
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46759
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
156 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
57,732
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32,825
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.58372
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
23.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerTrench Series SC-89-3
FDY300NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80269
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.3V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。