单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.59 毫欧 @ 50A，10V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
115 pF @ 10 V14000 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）3.2W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）EMT3F（SOT-416FL）
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
11,053
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57758
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
8-Power TDFN
CSD16570Q5BT
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Texas Instruments
25,468
现货
1 : ¥16.01000
剪切带（CT）
250 : ¥10.32144
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
100A（Ta）
4.5V，10V
0.59 毫欧 @ 50A，10V
1.9V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 12 V
-
3.2W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。