单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），34A（Tc）43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 20A，10V59 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27.9 nC @ 10 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1529 pF @ 30 V2830 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
5W（Ta），30W（Tc）113W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,972
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.99244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN059-150Y,115
MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
9,892
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.39665
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
43A（Tc）
10V
59 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 1mA
27.9 nC @ 10 V
±20V
1529 pF @ 30 V
-
113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。