单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）24A（Ta），100A（Tc）40A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 20A，10V2.86 毫欧 @ 50A，10V3 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V5.4 毫欧 @ 20A，10V2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 30µA2V @ 80µA2.5V @ 250µA3V @ 24µA3.4V @ 17µA3.4V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.57 nC @ 10 V23 nC @ 10 V29 nC @ 10 V40.1 nC @ 10 V41 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1781 pF @ 25 V2310 pF @ 25 V2798 pF @ 20 V2800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）2.62W（Ta），65.2W（Tc）48W（Tc）62W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TDSON-8PG-TSDSON-8POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
148,115
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6,167
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.03426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
7V，10V
5.4 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 17µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,843
现货
2,619,000
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.93069
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），100A（Tc）
5V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W（Ta），65.2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S53R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6,579
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
7V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 30µA
41 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
9,920
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.52685
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
7V，10V
2.86 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 24µA
29 nC @ 10 V
±20V
1781 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,781
现货
286,000
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.93068
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），100A（Tc）
5V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W（Ta），65.2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
31,496
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 30µA
52 nC @ 10 V
±16V
2800 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。