单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-STripFET™ F6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta）50A（Tc）60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 9.8A，10V14 毫欧 @ 6.5A，10V50 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.8 nC @ 10 V34 nC @ 4.5 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
642 pF @ 25 V3525 pF @ 25 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.38W（Ta）2.6W（Ta）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerDI5060-8PowerFlat™（5x6）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
105,409
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89931
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
7,867
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.55165
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 6.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMPH4015SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
2,350
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.57608
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
2.6W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。