单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.Panjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）7.7A（Ta）9.5A（Ta），12A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 5.8A，10V21 毫欧 @ 9.5A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
35 pF @ 25 V650 pF @ 15 V1570 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.9W（Ta），13W（Tc）3.1W（Ta），11W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）DFN2020M-6SOT-323
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
5,236
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-DFN
AONR32320C
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,976
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.89553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.5A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 9.5A，10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），11W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
9,542
现货
1 : ¥1.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.25962
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。