单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
产品状态
最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 6A，10V540 毫欧 @ 3.4A，5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 5 V20 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V440 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
43W（Tc）48W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRL510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
9,397
现货
1 : ¥10.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
4V，5V
540 毫欧 @ 3.4A，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL520NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Infineon Technologies
8,464
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
4V，10V
180 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。