单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）12A（Tc）21A（Tc）23A（Tc）27A（Tc）30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 18A，10V117 毫欧 @ 13A，10V200 毫欧 @ 13A，10V220 毫欧 @ 16A，10V500 毫欧 @ 7.2A，10V3 欧姆 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V44 nC @ 10 V61 nC @ 10 V97 nC @ 10 V123 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V2159 pF @ 25 V4660 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）180W（Tc）214W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP9140PBF
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
Vishay Siliconix
2,097
现货
1 : ¥23.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
180W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
7,983
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP27N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Vishay Siliconix
4,084
现货
1 : ¥77.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
27A（Tc）
10V
220 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±30V
4660 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,724
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.8A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9140NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Infineon Technologies
979
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250MPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
8,249
现货
1 : ¥19.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Vishay Siliconix
1,210
现货
1 : ¥25.53000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。