单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)4.3A(Ta)37A(Ta),288A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 50A,10V55 毫欧 @ 4.3A,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.3V @ 116µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V650 pF @ 25 V11000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)1.6W(Ta)3W(Ta),188W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TDSON-8-17SOT-23-3SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
442,197
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
onsemi
25,310
现货
69,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Ta)
6V,10V
55 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TDSON-8-17
ISC011N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Infineon Technologies
5,043
现货
1 : ¥30.54000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.25143
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
37A(Ta),288A(Tc)
4.5V,10V
1.15 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 116µA
170 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。