单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
OptiMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），100A（Tc）44A（Tc）84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V11.7 毫欧 @ 84A，10V65 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 146µA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V111 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6650 pF @ 100 V8200 pF @ 50 V13400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），214W（Tc）298W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3-2PG-TSON-8-3TO-263AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Littelfuse Inc.
2,882
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
44A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Infineon Technologies
3,654
现货
1 : ¥52.13000
剪切带（CT）
1,000 : ¥26.94308
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
84A（Tc）
10V
11.7 毫欧 @ 84A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
6650 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TSON-8-3
BSC027N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Infineon Technologies
7,331
现货
1 : ¥38.83000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.14676
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 146µA
111 nC @ 10 V
±20V
8200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。