单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）820mA（Ta）2.8A（Ta）200A（Tc）240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 80A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA3.8V @ 130µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V95 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V130 pF @ 10 V5120 pF @ 50 V7670 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）310mW（Ta）660mW（Ta）200W（Tc）357W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOFPG-HSOG-8-1SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
109,355
现货
225,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
249,164
现货
1,569,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
291,943
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-HPSOF Top View
FDBL86063-F085
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
onsemi
3,149
现货
4,000
工厂
1 : ¥53.36000
剪切带（CT）
2,000 : ¥28.36346
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
240A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 50 V
-
357W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
510
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
1,800 : ¥15.85303
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
200A（Tc）
6V，10V
2.3 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。