单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA（Ta）320mA（Ta）2.6A（Ta）5A（Ta），27A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 42A，10V52 毫欧 @ 5A，10V100 毫欧 @ 2.6A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V16 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V30 pF @ 30 V320 pF @ 15 V985 pF @ 75 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
298mW（Ta）300mW（Ta）1.1W（Ta）3.1W（Ta），89W（Tc）170W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKSC-70-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-252AA
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
123,347
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FDD86252
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
onsemi
68,431
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.60955
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
5A（Ta），27A（Tc）
6V，10V
52 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
985 pF @ 75 V
-
3.1W（Ta），89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
5,875
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
800 : ¥12.42773
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
18,404
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14961
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 2.6A，10V
2.2V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
320 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
4,950
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37747
管件
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 30 V
-
298mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。