单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）4.7A（Tc）37A（Ta），366A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 150A，10V50 毫欧 @ 3A，4.5V4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA2V @ 250µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V9.6 nC @ 4.5 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 10 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）1.56W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOG-8-1SOT-23SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSMD，鸥翼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
135,805
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11855
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.7A（Tc）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 3A，4.5V
800mV @ 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±10V
850 pF @ 10 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
8,995
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71751
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
200mA（Ta）
2.5V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-HSOG-8-1 Bottom View
IPTG014N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Infineon Technologies
708
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.93837
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37A（Ta），366A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。