单 FET，MOSFET

结果 : 2
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 25A，10V105 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 5 V59 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V4880 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
79W（Tc）135W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPAK (TO-251)
IRLU8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A IPAK
Infineon Technologies
3,592
现货
1 : ¥13.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
160A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
4880 pF @ 15 V
-
135W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRLU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Infineon Technologies
4,983
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
4V，10V
105 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。