单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）680mA（Ta）1.7A（Tc）2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V336 毫欧 @ 3.8A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V265 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）710mW（Ta）830mW（Ta）2W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
639,079
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39011
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
143,267
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
52,551
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87977
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Vishay Siliconix
22
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77579
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Tc）
4.5V，10V
336 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。