单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS®-P2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）80A（Tc）86A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 80A，10V5.8 毫欧 @ 25A，10V10 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.35V @ 50µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1950 pF @ 20 V2150 pF @ 15 V11570 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）75W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TO263-3-2TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
190,561
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68773
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
37,074
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
7,712
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.42706
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 80A，10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V，-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。