单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®SIPMOS®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA(Ta)1.9A(Ta)2.2A(Ta)3A(Tj)3.4A(Ta)9.4A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)12A(Ta)12A(Tc)13A(Ta),59A(Tc)17A(Tc)18A(Tc)42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V8.8 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 42A,10V50 毫欧 @ 8.5A,10V63 毫欧 @ 3.4A,4.5V65 毫欧 @ 2.2A,4.5V100 毫欧 @ 6A,10V105mOhm @ 6A,10V110 毫欧 @ 9.6A,10V115 毫欧 @ 12A,10V150 毫欧 @ 12A,10V160 毫欧 @ 1.5A,10V175 毫欧 @ 6.6A,10V180 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 10µA2V @ 460µA2V @ 70µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V6.5 nC @ 5 V9 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 10 V32 nC @ 10 V97 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V270 pF @ 24 V300 pF @ 10 V315 pF @ 25 V320 pF @ 25 V340 pF @ 48 V350 pF @ 25 V460 pF @ 25 V650 pF @ 25 V708 pF @ 30 V750 pF @ 25 V1185 pF @ 30 V1300 pF @ 30 V1420 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)500mW(Ta)1.3W(Ta)1.6W(Ta)1.8W(Ta)2.5W(Ta),50W(Tc)2.6W(Tc)3.7W(Ta),73W(Tc)30W(Tc)32W(Tc)38W(Tc)55W(Tj)57W(Tc)110W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)D2PAKDPAKMicro3™/SOT-23PG-SOT223-4SOT-223SOT-23-3TO-252-3TO-252(DPAK)TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
297,173
现货
1,410,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29868
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
81,162
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83410
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
79,853
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.36976
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
166,376
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.73664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
4.5V,10V
115 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
22,748
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.17624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Infineon Technologies
146,605
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.70751
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
18A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 9.6A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
6,266
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.01670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
10V
180 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 25 V
-
55W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
7,444
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
800 : ¥12.42773
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252-2
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
Diodes Incorporated
3,032
现货
190,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.01687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.4A(Tc)
4.5V,10V
150 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
708 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,247
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.39969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 8.5A,10V
2.2V @ 250µA
6.5 nC @ 5 V
±16V
320 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
26,558
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.99017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223-4
BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Infineon Technologies
3,186
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.08179
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.9A(Ta)
4.5V,10V
300 毫欧 @ 1.9A,10V
2V @ 460µA
20 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
MBRD6100CT-TP
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
18,979
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.13164
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
5235 pF @ 20 V
-
110W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223
STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT223
STMicroelectronics
10,224
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.12938
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Tj)
10V
160 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
2.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD12NF06T4
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STMicroelectronics
8,838
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.02123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
GSFD0460
SSFD6909
MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Good-Ark Semiconductor
4,650
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.22093
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10A(Tc)
4.5V,10V
105mOhm @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
32W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H848NLT1G
MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.69815
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),59A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 70µA
25 nC @ 10 V
±20V
1420 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),73W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。