单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
包装
散装管件
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 600mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V180 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
4-HVMDIPTO-92-3
封装/外壳
4-DIP（0.300"，7.62mm）TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-DIP
IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
20,869
现货
1 : ¥13.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
10V
540 毫欧 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
30,609
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。